ProjektePreiseInsights

HYG045P03LQ1D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG045P03LQ1D product

HYG045P03LQ1D

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETLeistung

Der HYG045P03LQ1D ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET für -30V und -90A, optimiert für effizientes Schalten in Industrie- und Verbraucheranwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Motorsteuerung
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik oder Spannungen über -30V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei hohen Strömen.

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-90 A
RDS(ON)
4,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

1bd17c0ae70458040ccc8341e6a73668_2404071726_HUAYI-HYG045P03LQ1D_C5121319.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG045P03LQ1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus von HUAYI, der für Hochstrom-Energieverwaltung und Schaltanwendungen entwickelt wurde.