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HYG050N08NS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG050N08NS1C2 product

HYG050N08NS1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET80V100A

Der HYG050N08NS1C2 ist ein leistungsstarker 80V, 100A N-Kanal-MOSFET im PPAK5*6-8L-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen und Motorsteuerungen.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Wechselrichtersysteme
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Strombelastbarkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

Vdss
80 V
Id
100 A
RDS(on)
4,1 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungEnergiemanagement

Datenblatt

21a8a4cd1b62535c7e8d5b50a2830d59_2211011730_HUAYI-HYG050N08NS1C2_C3040445.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG050N08NS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Hochstrom-Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde.