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HYG053N10NS1B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG053N10NS1B product

HYG053N10NS1B

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100V120A

Der HYG053N10NS1B ist ein leistungsstarker 100V, 120A N-Kanal-MOSFET, ideal für Hochstrom-Schaltanwendungen und Wechselrichter.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Batteriemanagement
  • Hochstromschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr geringem Platzbedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Treiber-Leistung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
120 A
RDS(ON)
4,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementWechselrichter

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG053N10NS1B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für anspruchsvolle Schalt- und Energiemanagement-Aufgaben.