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HYG053N10NS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG053N10NS1C2 product

HYG053N10NS1C2

MOSFETs - Single

100V MOSFETN-KanalLeistungs-MOSFETPDFN5*6-8L

Der HYG053N10NS1C2 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET im PDFN5*6-8L-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteile und Batteriemanagementsysteme.

Ideal für

  • Wechselrichter
  • Batteriemanagement
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Durchsteckmontage
  • Niederspannungsanwendungen mit speziellen Anforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Gate-Treiber-Spannung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
95 A
RDS(on)
4.6 mΩ
Qg
73 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungWechselrichterBatteriemanagement

Datenblatt

090c3f3b634e2e7b0dde663584ac1e31_2203300930_HUAYI-HYG053N10NS1C2_C2986239.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG053N10NS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI mit einer Spannungsfestigkeit von 100V und einem Strom von 95A.