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HYG053N10NS1D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG053N10NS1D product

HYG053N10NS1D

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der HYG053N10NS1D ist ein 100V, 95A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen und Motorsteuerungen.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Leistungsschaltung
  • Batteriemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die sehr niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
100 V
Dauer-Drainstrom
95 A
RDS(ON)
5.2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungLeistungsschaltung

Datenblatt

12f72d295b2ad76780a9fbc24bd3758a_HUAYI(华羿微)&HYG053N10NS1D.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG053N10NS1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Strombelastbarkeit.