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HYG055N08NS1B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG055N08NS1B product

HYG055N08NS1B

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal80V120A

Der HYG055N08NS1B ist ein 80V, 120A N-Kanal-MOSFET im TO-263-2L-Gehäuse, ideal für Hochleistungsschaltanwendungen und Motorsteuerungen.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Wechselrichtersysteme
  • Hochstromschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Strombedarf, bei denen kompaktere Gehäuse erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
80 V
Id
120 A
Rds(on)
5.3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungEnergiemanagement

Datenblatt

1932b17e4256d1a29c35f306143662ba_2106061837_HUAYI-HYG055N08NS1B_C2763408.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG055N08NS1B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI mit einer Spannungsfestigkeit von 80V und einem Strom von 120A.