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HYG055N08NS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG055N08NS1C2 product

HYG055N08NS1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET80V85A

Der HYG055N08NS1C2 ist ein 80V, 85A N-Kanal-MOSFET im PPAK5*6-8L-Gehäuse, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und Motorsteuerungen optimiert ist.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Wechselrichtersysteme
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Kompatibilität der Gate-Treiber-Schaltung

Wichtige Specs

Vdss
80 V
Id
85 A
RDS(on)
4,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungLeistungsmanagement

Datenblatt

cb38162a161b2aa8b6c63c6166265c26_2109260630_HUAYI-HYG055N08NS1C2_C2900843.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG055N08NS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Leistungsmanagement, Motorsteuerung und Schaltanwendungen.