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HYG055N08NS1P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG055N08NS1P product

HYG055N08NS1P

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal80V120A

Der HYG055N08NS1P ist ein 80V, 120A N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im TO-220FB-3L-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen und Motorsteuerungen optimiert ist.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Wechselrichter-Energiemanagement
  • Hochstromschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Oberflächenmontage erfordern (dies ist ein TO-220-Gehäuse für Durchsteckmontage)

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Leistungsfähigkeit der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDSS
80 V
ID
120 A
RDS(ON)
5,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungEnergiemanagement

Datenblatt

999a323294cf3e8a4800fa92a4aaf2c7_2109031530_HUAYI-HYG055N08NS1P_C2892077.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG055N08NS1P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 80V und einem Dauerstrom von 120A.