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HYG060N08NS1D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG060N08NS1D product

HYG060N08NS1D

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal80V80A

Der HYG060N08NS1D ist ein leistungsstarker 80V, 80A N-Kanal-MOSFET, der für effiziente Schaltanwendungen und Energiemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Schaltnetzteile
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedriger Gate-Ladung oder sehr hohen Schaltfrequenzen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDSS
80 V
ID
80 A
RDS(ON)
5,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementWechselrichter

Datenblatt

31579f9c46824fbd67f7435d3848d55b_2105242011_HUAYI-HYG060N08NS1D_C2827238.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG060N08NS1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 80V und einem Dauerstrom von 80A.