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HYG064N08NA1P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG064N08NA1P product

HYG064N08NA1P

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal80V120A

Der HYG064N08NA1P ist ein robuster 80V, 120A N-Kanal-MOSFET, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und Energiemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Energiemanagement
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder ultrakleine Bauformen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Kompatibilität der Gate-Ansteuerung.

Wichtige Specs

Vdss
80 V
Id
120 A
RDS(on)
6,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementWechselrichtersysteme

Datenblatt

d9ad8e93c438a3330b091a791bac27b0_2404071726_HUAYI-HYG064N08NA1P_C5121334.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG064N08NA1P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für effizientes Schalten und Energiemanagement.