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HYG065N07NS1B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG065N07NS1B product

HYG065N07NS1B

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET70V100A

Der HYG065N07NS1B ist ein N-Kanal-MOSFET mit 70V und 100A, der für effiziente Leistungsschaltanwendungen und Motorsteuerungen optimiert ist.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Wechselrichter-Leistungsstufen
  • Allgemeines Hochstromschalten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
70 V
Id
100 A
RDS(on)
5.5 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungEnergiemanagement

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG065N07NS1B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 70V und einem Nennstrom von 100A im TO-263-2L-Gehäuse.