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HYG067N07NQ1D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG067N07NQ1D product

HYG067N07NQ1D

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistung68V

Der HYG067N07NQ1D ist ein 68V, 70A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, ideal für DC-DC-Wandler und batteriebetriebene Systeme.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Batteriebetriebene Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
68 V
Dauerstrom
70 A
RDS(ON) (Typ)
6,8 mΩ
Gehäuse
TO-252-2L

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

ba107005dc8c149657433f459ed1b635_2106041532_HUAYI-HYG067N07NQ1D_C2838123.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG067N07NQ1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für effiziente Leistungsschaltanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 68V und einem Dauerstrom von 70A.