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HYG080N10LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG080N10LS1C2 product

HYG080N10LS1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100V65A

Der HYG080N10LS1C2 ist ein 100V, 65A N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlung und industrielle Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Synchron-Abwärtswandler
  • Elektrowerkzeuge
  • DC-DC-Stromversorgungssysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Anforderungen an die Kühlung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
65 A
RDS(on) (typ)
6,9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

4c0772adaa38b7f18b695f7d9a2120a4_2206131630_HUAYI-HYG080N10LS1C2_C3011225.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG080N10LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hochfrequentes Schalten und Leistungsmanagement entwickelt wurde.