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HYG090ND06LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG090ND06LS1C2 product

HYG090ND06LS1C2

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal60VEnergiemanagement

Der HYG090ND06LS1C2 ist ein robuster dualer N-Kanal-MOSFET, der für hocheffizientes DC/DC-Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung für das Schalten bei ultrahohen Frequenzen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDSS
60 V
ID
56 A
RDS(ON) (10V)
8,0 mΩ
Gehäuse
PDFN8L(5x6)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrielle Schaltung

Datenblatt

25c702b8388e56ca5b95a4b9b46bfb5d_2204251600_HUAYI-HYG090ND06LS1C2_C2999758.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG090ND06LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im PDFN8L(5x6)-Gehäuse, ausgelegt für 60V und 56A.