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HYG110P04LQ2C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG110P04LQ2C2 product

HYG110P04LQ2C2

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalEnergiemanagement

Der HYG110P04LQ2C2 ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET im PDFN5*6-8L-Gehäuse, optimiert für Energiemanagement und Batterieschutz.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Batteriemanagementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik oder deutlich höhere Spannungen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Ziel-Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
-40 V
ID
-55 A
RDS(on)
9,0 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

5daf054d7dd422f340b6898188de6a83_2109200830_HUAYI-HYG110P04LQ2C2_C2891580.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG110P04LQ2C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI mit einer Nennspannung von -40V und einem Strom von -55A.