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HYG110P04LQ2D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG110P04LQ2D product

HYG110P04LQ2D

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalLeistung

Der HYG110P04LQ2D ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit -40V und -50A, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Batterieschutzschaltungen
  • Allgemeine Leistungsschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochfrequenzschaltungen außerhalb der Gerätegrenzen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-40 V
ID
-50 A
RDS(ON)
9,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

a195b91dc2665f4b868887186857e449_2105241638_HUAYI-HYG110P04LQ2D_C2830428.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG110P04LQ2D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI, der für -40V und -50A spezifiziert ist und sich für Leistungsschaltungen und Batterieschutz eignet.