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HYG120P06LR1D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG120P06LR1D product

HYG120P06LR1D

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETEnergieverwaltung60V

Der HYG120P06LR1D ist ein robuster -60V, -55A P-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Motorsteuerungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Motorsteuerungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung für sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr auf der Leiterplatte
  • Strombelastbarkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-55 A
RDS(on)
12,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

ccb152127fadcba905dbb53f1f8d4518_2108072230_HUAYI-HYG120P06LR1D_C2844410.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG120P06LR1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Huayi Microelectronics mit einer Nennspannung von -60V und einem Strom von -55A.