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HYG170ND03LA1S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG170ND03LA1S product

HYG170ND03LA1S

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-Kanal30V

Der HYG170ND03LA1S ist ein dualer N-Kanal-MOSFET, der für Energiemanagement- und Batterieschutzschaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Batteriemanagementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
9 A
RDS(on)
14,5 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG170ND03LA1S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP8L-Gehäuse mit einer Nennspannung von 30V und 9A.