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HYG200P10LR1B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG200P10LR1B product

HYG200P10LR1B

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalLeistung

Der HYG200P10LR1B ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochleistungsanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von -100V und einem Strom von -80A.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Batteriemanagementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Logikschaltungen ohne Pegelanpassung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
-100 V
Id
-80 A
RDS(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

52822980b801c6794adaeb644503c029_2206271801_HUAYI-HYG200P10LR1B_C3148162.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG200P10LR1B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI, der für Hochstrom-Schaltanwendungen in tragbaren Geräten und batteriebetriebenen Systemen optimiert ist.