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HYG200P10LR1P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG200P10LR1P product

HYG200P10LR1P

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETLeistung100V

Der HYG200P10LR1P ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET für -100V und -80A, der für das Energiemanagement in batteriebetriebenen Systemen und DC-DC-Wandlern optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Batteriemanagementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Logikanwendungen ohne geeigneten Gate-Treiber

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Treiberspannungspegel

Wichtige Specs

VDSS
-100 V
ID
-80 A
RDS(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatteriesysteme

Datenblatt

248fa04426aa3e8e455f173b6435244b_2106070104_HUAYI-HYG200P10LR1P_C2687417.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG200P10LR1P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochleistungsschaltanwendungen mit einer Durchbruchspannung von -100V und einer Dauerstromkapazität von -80A.