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HYG210P06LQ1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG210P06LQ1C2 product

HYG210P06LQ1C2

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETLeistung

Der HYG210P06LQ1C2 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit -60V und -40A im PPAK5*6-8L-Gehäuse, geeignet für Schaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Batterieschutz
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Typen oder höhere Spannungsfestigkeit erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDSS
-60 V
ID
-40 A
RDS(ON)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG210P06LQ1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-MOSFET von HUAYI für Leistungsanwendungen.