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HYG400N15NS1P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG400N15NS1P product

HYG400N15NS1P

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal150VLeistung

Der HYG400N15NS1P ist ein 150V N-Kanal-MOSFET im TO-220-Gehäuse, der für Leistungsschaltanwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • AC-DC-Wandler
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) oder SMD-Gehäuse erfordern (außer bei Verwendung der TO-263-Variante).

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

Vdss
150 V
Id
40 A
RDS(on)
34 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungAC-DC/DC-DC

Datenblatt

b8b5cc7cbdae5fab5132e75127e0c9d2_2404071726_HUAYI-HYG400N15NS1P_C5121335.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG400N15NS1P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 150V und einer Dauerstromkapazität von 40A.