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HYG800P10LR1D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG800P10LR1D product

HYG800P10LR1D

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalEnergiemanagement

Der HYG800P10LR1D ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit -100V und -20A im TO-252-2L-Gehäuse, ideal für DC/DC-Wandler und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Lastschaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs, bei denen TO-252 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDSS
-100 V
ID
-20 A
RDS(ON)
77 mΩ
Gehäuse
TO-252-2L

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementLastschaltung

Datenblatt

51dd531f3f857ac7aad44d81d577a3cd_HUAYI(华羿微)&HYG800P10LR1D.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG800P10LR1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -100V und einem Dauerstrom von -20A.