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IDH04G65C6XKSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IDH04G65C6XKSA1 product

IDH04G65C6XKSA1

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-DiodeSchottky650VCoolSiC

Die IDH04G65C6 ist eine hocheffiziente 650V, 4A Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode im PG-TO220-2-Gehäuse, ideal für industrielle Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Netzteile
  • Industrielle Stromwandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem kostengünstige Siliziumdioden erfordern, bei denen Effizienzgewinne nicht entscheidend sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Montagedrehmoment

Wichtige Specs

Sperrspannung
650 V
Durchlassstrom
4 A
Kapazitive Ladung
6.9 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IDH04G65C6XKSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine CoolSiC-Schottky-Barriere-Diode der 6. Generation, die für hocheffiziente Stromwandlungen entwickelt wurde.