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IDM02G120C5 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IDM02G120C5 product

IDM02G120C5

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-DiodeSchottky1200VInfineon

Die IDM02G120C5 ist eine 1200V, 2A Siliziumkarbid-Schottky-Diode von Infineon, optimiert für hocheffiziente industrielle Leistungsanwendungen.

Ideal für

  • Solarwechselrichter
  • Motorantriebe
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem kostengünstige Siliziumdioden erfordern, bei denen die SiC-Leistungsvorteile nicht genutzt werden.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Stoßstrombelastbarkeit in spezifischen Schaltungstopologien

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
2 A
Max. Sperrschichttemperatur
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

4957dcf2b7a188a9ee13b58095a41449_2001050532_Infineon-Technologies-IDM02G120C5_C476126.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IDM02G120C5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200 V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode der 5. Generation thinQ!™, die für hocheffiziente Leistungswandlung entwickelt wurde.