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IMBF170R1K0M1XTMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IMBF170R1K0M1XTMA1 product

IMBF170R1K0M1XTMA1

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1700VFlybackInfineon

Der IMBF170R1K0M1 ist ein 1700V SiC-Trench-MOSFET, der speziell für Flyback-Netzteile optimiert wurde.

Ideal für

  • Flyback-Netzteile
  • Solar-Wechselrichter
  • Industrielle USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen deutlich niedrigeren RDS(on) als 1000mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
1700 V
RDS(on)
1000 mΩ
ID
5,2 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

pYYBAGHDMa6AYgdeABPY_O62D5U025.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IMBF170R1K0M1XTMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1700V Siliziumkarbid (SiC) Trench-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente Flyback-Stromversorgungen entwickelt wurde.