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IMBG120R220M1HXTMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IMBG120R220M1HXTMA1 product

IMBG120R220M1HXTMA1

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VInfineonLeistungselektronik

Der IMBG120R220M1H ist ein leistungsstarker 1200V SiC-Trench-MOSFET, der für industrielle Anwendungen mit hohen Anforderungen an Effizienz und thermische Stabilität optimiert ist.

Ideal für

  • Solar-Wechselrichter
  • Industrielle USV
  • Ladeinfrastruktur

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen SiC nicht kosteneffizient ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Treiber-Spannung
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

Vdss
1200 V
Id
13 A
Rds(on)
220 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Industrielle StromversorgungSolarenergie

Datenblatt

c2507e62b23b3a7680372d6ff58cfddc.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IMBG120R220M1HXTMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V Siliziumkarbid (SiC) Trench-MOSFET von Infineon, der die .XT-Verbindungstechnologie für verbesserte thermische Leistung nutzt.