ProjektePreiseInsights

IMW120R030M1H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IMW120R030M1H product

IMW120R030M1H

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VInfineonCoolSiC

Der IMW120R030M1H ist ein leistungsstarker 1200V SiC-Trench-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente Leistungswandlungen in industriellen und energetischen Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Solar-String-Wechselrichter
  • Industrielle USV
  • Industrielle Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen die Vorteile von SiC nicht erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Treiber-Spannung
  • Wärmeableitungskapazitäten

Wichtige Specs

VDS
1200 V
RDS(on)
30 mΩ
ID
56 A
Tvj,max
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

98cd474e601a0280a1f54e5031055604_2005291936_Infineon-Technologies-IMW120R030M1H_C536280.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IMW120R030M1H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V Siliziumkarbid (SiC) Trench-MOSFET, der für hochfrequente und hocheffiziente Leistungselektronik entwickelt wurde.