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IMZA120R040M1HXKSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IMZA120R040M1HXKSA1 product

IMZA120R040M1HXKSA1

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VInfineonLeistungselektronik

Der IMZA120R040M1HXKSA1 ist ein leistungsstarker 1200-V-SiC-Trench-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungswandlungen in industriellen Anwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Hocheffiziente Leistungswandlung
  • EV-Ladeinfrastruktur
  • Solarenergiesysteme

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen SiC nicht kosteneffizient ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDSS
1200 V
ID
55 A
RDS(on)
39 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

bffeb0becfeb55c910eb29b3d7ef2e66_2312021953_Infineon-Technologies-IMZA120R040M1HXKSA1_C5771896.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IMZA120R040M1HXKSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200-V-Siliziumkarbid-Trench-MOSFET von Infineon, der die .XT-Verbindungstechnologie für eine verbesserte thermische Leistung nutzt.