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IPA032N06N3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPA032N06N3 G product

IPA032N06N3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VInfineon

Der IPA032N06N3 G ist ein leistungsstarker 60V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, optimiert für hochfrequente DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
84 A
RDS(on)
3,2 mΩ
Qg
124 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Not applicable
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

82b96cb2feb926ed991366d413c48a4f_Infineon(英飞凌)&IPA032N06N3 G.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPA032N06N3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Energieanwendungen entwickelt wurde.