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IPA60R180P7S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPA60R180P7S product

IPA60R180P7S

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOSInfineon600V

Der IPA60R180P7S ist ein hocheffizienter 600V CoolMOS P7 Superjunction-MOSFET, der sich ideal für Netzteilanwendungen mit geringen Schaltverlusten und hoher thermischer Leistung eignet.

Ideal für

  • PFC- und LLC-Leistungsstufen
  • Netzteile mit hoher Leistungsdichte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 11A bei 100°C erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
180 mΩ
ID (100°C)
11 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilIndustrie

Datenblatt

08b264a5468d21bc04bdc32b0178e785.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPA60R180P7S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V N-Kanal-Superjunction-Leistungs-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie von Infineon, untergebracht in einem PG-TO220 FullPAK-Gehäuse.