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IPA80R1K4CEXKSA2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPA80R1K4CEXKSA2 product

IPA80R1K4CEXKSA2

MOSFETs - Single

800VCoolMOSLeistungs-MOSFETInfineon

Der IPA80R1K4CE ist ein 800V N-Kanal CoolMOS CE Leistungs-MOSFET im TO-220 FullPAK-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung in LED-Beleuchtungs- und QR-Flyback-Anwendungen.

Ideal für

  • LED-Beleuchtung
  • QR-Flyback-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen Rds(on) oder eine Strombelastbarkeit von mehr als 3,9 A erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsgrenzen des TO-220 FullPAK-Gehäuses.

Wichtige Specs

Vds
800 V
Id
3,9 A
Rds(on)
1400 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LED-BeleuchtungNetzteile

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPA80R1K4CEXKSA2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 800V N-Kanal Leistungs-MOSFET von Infineon aus der CoolMOS CE-Serie, der für hohe Effizienz bei Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde.