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IPA90R1K2C3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPA90R1K2C3 product

IPA90R1K2C3

MOSFETs - Single

MOSFET900VCoolMOSInfineon

Der IPA90R1K2C3 ist ein 900V CoolMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltnetzteile optimiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungs-Schaltnetzteile
  • Quasi-resonante Flyback-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit niedrigerem Rds(on) effizienter sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Anforderungen an den Gate-Treiber

Wichtige Specs

Vdss
900 V
Id
5.1 A
Rds(on)
1.2 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilIndustrie

Datenblatt

e0cf3ef3df6555e9ba9de0fd899cd67d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPA90R1K2C3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 900V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der die CoolMOS™-Technologie für niedrige Gate-Ladung und hohe Effizienz nutzt.