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IPAN60R125PFD7S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPAN60R125PFD7S product

IPAN60R125PFD7S

MOSFETs - Single

600VSuperjunctionMOSFETInfineon

Der IPAN60R125PFD7S ist ein hocheffizienter 600V-Superjunction-MOSFET, der für kostensensitive Hochleistungsanwendungen optimiert wurde.

Ideal für

  • Netzteile mit hoher Leistungsdichte
  • Ladegeräte und Adapter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extreme Wärmeableitung ohne Kühlkörper erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiber-Impedanz und thermisches Design

Wichtige Specs

Vds
650 V
Rds(on)
125 mOhm
Id
25 A

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorantriebe

Datenblatt

73a75ac97bcb3ae28b5a96c07db57369_datasheet.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPAN60R125PFD7S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V CoolMOS PFD7 SJ-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente Netzteile entwickelt wurde.