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IPAN60R600P7SXKSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPAN60R600P7SXKSA1 product

IPAN60R600P7SXKSA1

MOSFETs - Single

MOSFETSuperjunctionInfineonCoolMOS

Der IPAN60R600P7S ist ein 650V N-Kanal-Superjunction-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie von Infineon, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung in kompakten Designs.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • LLC-Resonanzwandler
  • Kompakte Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von weit über 6A erfordern
  • Designs, bei denen nicht isolierte Gehäuse für die thermische Leistung bevorzugt werden

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJC) für Ihre spezifische Kühlkörperkonfiguration
  • Gate-Treiber-Anforderungen für optimales Schalten

Wichtige Specs

VDS(max)
650 V
RDS(on)
600 mOhm
ID (100°C)
4 A
Qg
9 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilIndustrie

Datenblatt

poYBAGHDRsqAOLgbABANsBfgyoc542.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPAN60R600P7SXKSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V (650V VDS max) CoolMOS P7 Leistungstransistor für Hochspannungsschaltanwendungen, der geringe Leitungs- und Schaltverluste bietet.