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IPAW60R280P7SXKSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPAW60R280P7SXKSA1 product

IPAW60R280P7SXKSA1

MOSFETs - Single

CoolMOSLeistungs-MOSFETInfineon

Der IPAW60R280P7SXKSA1 ist ein 600V N-Kanal CoolMOS P7 MOSFET, der für hocheffiziente Leistungswandlung in einem thermisch optimierten FullPAK-Gehäuse entwickelt wurde.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • LLC-Resonanzwandler
  • Server-Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem hohe Ströme über 12A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsgrenzen des TO-220 FullPAK-Gehäuses

Wichtige Specs

Vds
600 V
Id
12 A
Rds(on)
280 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungswandlung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPAW60R280P7SXKSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V, 12A N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus Infineons 7. Generation der CoolMOS P7-Plattform, der für hocheffiziente Schaltanwendungen konzipiert ist.