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IPB020N08N5ATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPB020N08N5ATMA1 product

IPB020N08N5ATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal80VOptiMOS

Der IPB020N08N5 ist ein leistungsstarker 80V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im D2PAK-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung.

Ideal für

  • Synchrongleichrichtung
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
80 V
ID
173 A
RDS(on)
2,0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPB020N08N5ATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 5 N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon, ausgelegt für 80V und 173A, optimiert für Hochfrequenzschaltungen.