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IPB026N06N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPB026N06N product

IPB026N06N

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VInfineon

Der IPB026N06N ist ein leistungsstarker 60V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der speziell für synchrone Gleichrichtungsanwendungen optimiert wurde.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen die Kosten der Hauptfaktor sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
100 A
RDS(on)
2,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

f084752311002cbd766d8c1bfe03ad2f.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPB026N06N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™ N-Kanal-Leistungstransistor, der für hocheffiziente Stromwandlung, insbesondere synchrone Gleichrichtung, entwickelt wurde.