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IPB027N10N3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPB027N10N3 G product

IPB027N10N3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VInfineon

Der IPB027N10N3 G ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, optimiert für hocheffiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hochfrequenz-Leistungswandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung und begrenztem Platz, die kleinere Gehäuse erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen für die 300W Verlustleistung.

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
120 A
RDS(on)
2,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungswandlung

Datenblatt

IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPB027N10N3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungstransistor, der für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung entwickelt wurde.