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IPB039N10N3GATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPB039N10N3GATMA1 product

IPB039N10N3GATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VOptiMOS

Der IPB039N10N3 G ist ein leistungsstarker 100V, 160A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im PG-TO263-7-Gehäuse, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand.

Ideal für

  • Netzteile
  • Motorsteuerung
  • Industrielle Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Anwendungen, die kleinere Gehäuseformen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Gate-Treiberspannung.

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
160 A
RDS(on)
3,9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

599796.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPB039N10N3GATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal OptiMOS 3 Leistungstransistor für Anwendungen mit hohem Strombedarf.