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IPB065N15N3GATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPB065N15N3GATMA1 product

IPB065N15N3GATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalOptiMOS 3150V

Der IPB065N15N3 G ist ein leistungsstarker 150V N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS 3-Serie von Infineon, optimiert für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hochfrequenz-Leistungswandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, bei denen ein kleineres Gehäuse erforderlich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
150 V
ID
130 A
RDS(on)
6,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPB065N15N3GATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET im PG-TO263-7-Gehäuse, ausgelegt für 150V und 130A.