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IPB072N15N3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPB072N15N3G product

IPB072N15N3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal150VOptiMOS

Der IPB072N15N3 G ist ein leistungsstarker 150V N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS™ 3-Serie von Infineon, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hochfrequenz-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen kleinere Gehäuse erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
150 V
ID
100 A
RDS(on)
7,2 mΩ
Gehäuse
TO-263

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

9af4d9e4371d9f1eec2001b918d33aae.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPB072N15N3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung entwickelt wurde und sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Strombelastbarkeit auszeichnet.