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IPB107N20N3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPB107N20N3G product

IPB107N20N3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VInfineon

Der IPB107N20N3 G ist ein leistungsstarker 200V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen und synchrone Gleichrichtung.

Ideal für

  • Hochfrequenzschalten
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit geringerem RDS(on) verfügbar sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
88 A
RDS(on)
10,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

a553d6805d6a438bf2216c2979b7ba7b.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPB107N20N3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungstransistor mit 200V und 88A, der für hocheffiziente Stromwandleranwendungen entwickelt wurde.