IPB200N25N3 G Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IPB200N25N3 G product

Der IPB200N25N3 G ist ein leistungsstarker 250V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hochfrequente Schaltanwendungen und synchrone Gleichrichtung optimiert ist.

Ideal für

Hochfrequenzschaltungen
Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit niedrigerer Vds effizienter sind

Vor der Verwendung prüfen

Anforderungen an die Wärmeableitung
Pegel der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vds: 250 V
Id: 64 A
Rds(on): 20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPB200N25N3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS™3-Serie von Infineon, ausgelegt für 250V und 64A.