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IPB200N25N3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPB200N25N3G product

IPB200N25N3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal250VInfineon

Der IPB200N25N3G ist ein leistungsstarker 250V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen und synchrone Gleichrichtung.

Ideal für

  • Hochfrequenzschalten
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit geringerem Rds(on) verfügbar sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vds
250 V
Id
64 A
Rds(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

201184950a66689d905c7c7d8db99a38.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPB200N25N3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™3 N-Kanal-Leistungstransistor, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen entwickelt wurde.