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IPC50N04S55R8ATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPC50N04S55R8ATMA1 product

IPC50N04S55R8ATMA1

MOSFETs - Single

AutomobilMOSFETInfineon

Der IPC50N04S55R8ATMA1 ist ein 40V, 50A N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, optimiert für Automobilanwendungen mit einem niedrigen RDS(on) von 5,8mΩ.

Ideal für

  • Automotive-Leistungsschalter
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 40V oder 50A Dauerstrom erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
50 A
RDS(on)
5,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilEnergieverwaltung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPC50N04S55R8ATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™-5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus für Automobilanwendungen mit einer Durchbruchspannung von 40V und einer Strombelastbarkeit von 50A.