ProjektePreiseInsights

IPD042P03L3G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD042P03L3G-HXY product

IPD042P03L3G-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30V120A

Der IPD042P03L3G ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Hochstromschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDSS
-30 V
ID
-120 A
RDS(ON)
4.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

ba83ab17017cb1d8c786e025e62f8c11_2403261507_HXY-MOSFET-IPD042P03L3G-HXY_C22367526.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD042P03L3G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.