ProjektePreiseInsights

IPD048N06L3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD048N06L3 G product

IPD048N06L3 G

FETs

MOSFETN-KanalOptiMOSLeistungstransistor

Der IPD048N06L3 G ist ein 60V, 90A N-Kanal OptiMOS 3 Leistungs-MOSFET im PG-TO-252-3 Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandler und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedriger Gate-Ansteuerspannung unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistung

Wichtige Specs

Vds
60 V
Id
90 A
Rds(on)
4,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieversorgungIndustrie

Datenblatt

51dc1fec62afa5191d205313806355c0_Infineon(英飞凌)&IPD048N06L3 G.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD048N06L3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS 3-Serie von Infineon, der speziell für schnelles Schalten und synchrone Gleichrichtung entwickelt wurde.