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IPD050N03LG-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD050N03LG-HXY product

IPD050N03LG-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V100A

Der IPD050N03LG ist ein 30V, 100A N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
100 A
RDS(ON)
< 5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

9893cceb41cdd977c6b76b1370bd30b0_2404231036_HXY-MOSFET-IPD050N03LG-HXY_C22367518.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD050N03LG-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für niedrigen RDS(ON) und effizientes Schalten ausgelegt ist.