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IPD050N03LGATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD050N03LGATMA1 product

IPD050N03LGATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VInfineon

Der IPD050N03LG ist ein 30V, 50A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im DPAK-Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandler und Schaltnetzteile.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >30V VDS
  • Umgebungen mit Temperaturen über 175°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
50 A
RDS(on)
5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD050N03LGATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hochfrequentes Schalten und DC/DC-Wandlung optimiert ist.